混合信號與低功耗應(yīng)用　　據(jù)觀察，在特定的醫(yī)療應(yīng)用中，雙極性器件的模擬性能優(yōu)于CMOS器件。但有些應(yīng)用需要處理混合信號，對于模擬和數(shù)字兩種處理能力都有要求。這類應(yīng)用一般都需要有極低功耗的運行能力。　　例如，心臟起搏器等植入式設(shè)備要以有限的電源長期工作。這種設(shè)備既需要低功耗模擬電路來檢測身體的生理信號，又需要低功耗數(shù)字及存儲器功能來轉(zhuǎn)換和存儲這些信號。此外，高級植入式設(shè)備還需要低功耗無線通信為體外的基本單元傳輸信息?！　⊥ㄟ^對信號類型和工作模式進行更深入的分析，可以看出這些設(shè)備一般都具有低占空比。比如，它們只有在進行測量或處理的極短時間內(nèi)被激活，其余大部分時間都處于休眠狀態(tài)。占空比不足 1%的情況在這些應(yīng)用中并不少見。另一個特性是大多數(shù)信號本身都處于低頻率狀態(tài)。因此數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的帶寬和采樣頻率可限定為數(shù)十千赫茲甚至更低。此外，一些使用的外部電池供電的消費類設(shè)備也具有類似的性能與功耗要求?！　「鶕?jù)以上要求，這些設(shè)備還需具備低斷態(tài)漏電電流。這就意味著在這種工藝技術(shù)中必須權(quán)衡性能與漏電。一般來說，這些工藝的柵極長度在130nm到350nm之間，將來也可能達(dá)到到90nm。對于可移植設(shè)備而言，漏電流性能可隨工藝、溫度或電源的變化而變化，這是一個重要參數(shù)，因為它將直接影響電池的使用壽命。圖4顯示了采用NMOS工藝設(shè)備的漏電流(Ioff)與驅(qū)動電流(Idrive)隨溫度變化而變化的情況。Idrive與溫度變化關(guān)系不大，而Ioff則具有顯著的溫度相關(guān)性。圖5是PMOS設(shè)備的溫度相關(guān)性圖。由于溫度變化幅度不大，Ioff隨溫度變動的情況可以接受。圖6所示的是環(huán)形振蕩器頻率，是一項顯示設(shè)備電源電壓功能典型的品質(zhì)因數(shù)，在實際應(yīng)用中也可作為權(quán)衡漏電與性能的準(zhǔn)則。
圖4：NMOS設(shè)備中漏電流與驅(qū)動電流隨溫度變化　　
圖5：PMOS設(shè)備中漏電流與驅(qū)動電流隨溫度變化　　
圖6：環(huán)形振蕩器頻率被看作電源功能之一　　設(shè)計低功耗混合信號設(shè)備的另一個重要組件是高可靠性、小型、低功耗非易失性存儲器。鐵電存儲器(FRAM)可提供獨特的性能，是眾多應(yīng)用中極具吸引力的非易失性存儲器選擇，其與眾不同的特性包括類似RAM的快速寫入速度、低電壓低功耗寫入工作、超長使用壽命以及高靈活度的架構(gòu)等。該存儲器已經(jīng)集成至上文所述的低功耗數(shù)字工藝技術(shù)中?！　RAM的工作電壓為1.5V，與浮柵器件不同，它不需要充電泵。與所有非易失性存儲器一樣，其可靠性問題主要涉及寫入/讀取周期持久性、數(shù)據(jù)保持以及高溫使用壽命。即便在多次工作之后，F(xiàn)RAM也可保持優(yōu)異的非周期和周期位性能。封裝技術(shù)　　當(dāng)需要在同一IC中實現(xiàn)不同性能指標(biāo)時，可高效使用封裝技術(shù)。例如，一些應(yīng)用需要同時具有低噪聲、低功耗數(shù)字性能，可通過將兩種不同工藝的硅裸片布置在同一封裝中來實現(xiàn)?？蓪⒐杪闫M行堆棧，節(jié)省電路板空間。隨著封裝技術(shù)的不斷發(fā)展，還可將電感器與電容器等無源元件集成在封裝內(nèi)。板上裸片貼裝(Chip on Board)技術(shù)能夠?qū)⒄麄€IC完全嵌入到印刷電路板中，為密集型應(yīng)用節(jié)省寶貴的空間。