加快12英寸先進工藝生產線的規(guī)模化、集約化建設。堅持國際化原則，采取開放合作的方式，推動45納米/32納米/28納米先進工藝的研發(fā)及產業(yè)化，為22納米研發(fā)和量產奠定基礎，從而大大縮短國際技術差距，形成具有國際競爭力和持續(xù)發(fā)展力的專業(yè)代工業(yè)。 　　特色工藝開發(fā)及生產線建設。支持模擬工藝、數(shù)?；旌瞎に嚒⑽㈦娮訖C械系統(tǒng)(MEMS)工藝、射頻工藝、功率器件工藝等特色技術開發(fā)，推動特色的工藝生產線建設。加快以應變硅、絕緣襯底上的硅(SOI)、化合物半導體材料為基礎的制造工藝開發(fā)和產業(yè)化。 　　3.提升封測業(yè)層次和能力，發(fā)展先進封測技術和產品 　　順應集成電路產品向功能多樣化的重要發(fā)展方向，大力發(fā)展先進封裝和測試技術，推進高密度堆疊型三維封裝產品的進程，支持封裝工藝技術升級和產能擴充。提高測試技術水平和產業(yè)規(guī)模。 　　4.完善產業(yè)鏈，突破關鍵專用設備、儀器和材料 　　推進8英寸集成電路設備的產業(yè)化進程，支持12英寸集成電路生產設備的研發(fā)，加強新設備、新儀器、新材料的開發(fā)，形成成套工藝，推動國產裝備在生產線上規(guī)模應用，培育一批具有較強自主創(chuàng)新能力的骨干企業(yè)，推進集成電路產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)(設計、制造、封測、設備儀器、材料等)的緊密協(xié)作，建立試驗平臺，加快產業(yè)化。 　　專欄3：集成電路產業(yè)鏈延伸工程 　　先進封裝測試。支持BGA、CSP、多芯片組件封裝(MCM)、WLP、3D、硅通孔(TSV)等先進封裝和測試技術，推進MCP、SiP、封裝內封裝(PiP)、封裝上封裝(PoP)等集成電路產品特別是高密度堆疊型三維封裝產品的進程。 　　專用設備、儀器、材料。支持刻蝕機、離子注入機、外延爐設備、平坦化設備、自動封裝系統(tǒng)等設備的開發(fā)與應用，形成成套工藝，加強12英寸硅片、SOI、引線框架、光刻膠等關鍵材料的研發(fā)與產業(yè)化，支持國產集成電路關鍵設備和儀器、原材料在生產線上規(guī)模應用。 五、政策措施 　　(一)落實政策法規(guī)，完善公共服務體系 　　貫徹落實國發(fā)[2011]4號文件，加快相關實施細則和配套措施的制定。加強產業(yè)調研，適時調整《集成電路免稅進口自用生產性原材料、消耗品目錄》。進一步完善集成電路發(fā)展法律制度，完善集成電路產業(yè)公共服務體系，加強公共服務平臺建設，促進設計與應用的緊密聯(lián)系。 　　(二)提升財政資金使用效率，擴大投融資渠道 　　精心組織實施國家科技重大專項和戰(zhàn)略性新興產業(yè)創(chuàng)新工程等，突破重點整機系統(tǒng)的關鍵核心芯片，支持和部署對新器件、新原理、新材料的預先研究。通過技術改造資金、集成電路研究與開發(fā)專項資金、電子信息產業(yè)發(fā)展基金等渠道，持續(xù)支持集成電路產業(yè)自主創(chuàng)新能力和核心競爭力提升。鼓勵國家政策性金融機構支持重點集成電路技術改造、技術創(chuàng)新和產業(yè)化項目。鼓勵各行業(yè)大型企業(yè)集團參股或整合集成電路企業(yè)。支持集成電路企業(yè)在境內外上市融資，引導金融證券機構積極支持集成電路產業(yè)發(fā)展，支持符合條件的創(chuàng)新型中小企業(yè)在中小企業(yè)板和創(chuàng)業(yè)板上市。 　　鼓勵境內外各類經濟組織和個人投資集成電路產業(yè)。 　　(三)推進資源整合，培育具有國際競爭力大企業(yè) 　　按照戰(zhàn)略協(xié)調、資源配置有效的原則，規(guī)范推進與各類所有制企業(yè)的并購重組。通過設立引導資金、直接注資、貸款貼息和減免相關費用等方式，克服分散重復，推進企業(yè)整合，優(yōu)化企業(yè)結構，提高產業(yè)集中度，形成一批符合重大產品、重大工藝發(fā)展方向的大型企業(yè)，以適應產業(yè)發(fā)展新形勢和國際市場競爭的需要。推進政、銀、企大力協(xié)同，調動、引導、挖掘相關資源，廣泛建立銀企金融合作的項目開發(fā)平臺，推動政、銀、企合作縱深發(fā)展。支持產業(yè)聯(lián)盟發(fā)展，以橫向聯(lián)盟推動技術和工藝攻關，以縱向聯(lián)盟加快產業(yè)化進程和推動建立應用市場。 　　(四)繼續(xù)擴大對外開放，提高利用外資質量 　　堅持對外開放，繼續(xù)優(yōu)化環(huán)境，大力吸引國外(境外)資金、技術和人才，承接國際高端產業(yè)轉移。吸引跨國公司在國內建設研發(fā)中心、生產中心和運營中心。鼓勵在華研究機構加大研究投入力度和引進高端研發(fā)項目，推動外資研發(fā)機構與本地機構的合作。完善外商投資項目核準辦法，適時調整《外商投資產業(yè)指導目錄》，引導外商投資方向。鼓勵企業(yè)擴大國際合作，整合并購國際資源，設立海外研發(fā)中心，積極拓展國際市場。 　　(五)加強人才培養(yǎng)，積極引進海外人才 　　建立、健全集成電路人才培訓體系，加快建設和發(fā)展微電子學院和微電子職業(yè)培訓機構，形成多層次的人才梯隊，重點培養(yǎng)國際化的、高層次、復合型集成電路人才；加大國際化人才引進工作力度，創(chuàng)造有利的政策環(huán)境，大力引進國外優(yōu)秀集成電路人才；引入競爭激勵機制，制定激發(fā)人才創(chuàng)造才能的獎勵政策和分配機制。注重環(huán)境建設，努力造就開拓型、具有國際視野的企業(yè)家群體。 　　(六)實施知識產權戰(zhàn)略，加大知識產權保護力度 　　大力實施知識產權戰(zhàn)略，在重點技術領域掌握一批具有自主知識產權的關鍵技術；鼓勵企業(yè)進行集成電路布圖設計的登記，加強集成電路布圖設計專有權的有效利用；在專項工程中開展知識產權評議，加大知識產權保護力度，促進市場公平有序的發(fā)展；鼓勵行業(yè)組織、產學研用聯(lián)盟等開展專利態(tài)勢分析、建立知識產權預警機制，通過知識產權交流與合作，促進集成電路產業(yè)發(fā)展。