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　　半導體行業(yè)熱點：國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試
　　
　　四川九天中創(chuàng)自動化設備有限公司是專業(yè)從事顯示模組設備、半導體類設備、煙草物流設備的研發(fā)、制造、銷售及服務于一體的高新技術生產(chǎn)企業(yè)。公司目前規(guī)模約400人，其中研發(fā)人員約占30%，擁有近200項專利，取得了ISO9001質(zhì)量體系、知識產(chǎn)權貫標體系認證、服務體系等多項認證。具備從產(chǎn)品設計到生產(chǎn)加工的整體制造能力。我司研發(fā)生產(chǎn)的設備具備“國產(chǎn)價格，進口品質(zhì)”，在國內(nèi)市場深受歡迎。
　　
　　一、三星公布新工藝節(jié)點，2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)
　　
　　據(jù)韓媒報道，當?shù)貢r間6月12日，三星電子在美國硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術戰(zhàn)略。
 
　　
　　活動中，三星公布了兩個新工藝節(jié)點，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡（BSPDN）技術，通過將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號線有關的互聯(lián)瓶頸，計劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術相比，SF2Z不僅提高了PPA，還顯著降低了電壓降（IR drop），從而提高了高性能計算（HPC）的性能。SF4U則是4nm工藝變體，通過結(jié)合光學縮放技術改進功率、性能和面積（PPA），該工藝計劃于2025年量產(chǎn)。
　　
　　目前，三星對SF1.4（1.4nm）的準備工作進展順利，正在按計劃達成性能和量產(chǎn)目標，預計該工藝將于2027年量產(chǎn)。
　　
　　在技術路線上，三星重點介紹了全環(huán)繞柵極（GAA）工藝技術的進展。三星的GAA工藝已進入量產(chǎn)的第三年，基于GAA技術演進，三星計劃在今年下半年量產(chǎn)第二代3nm工藝（SF3），并計劃在即將推出的2nm工藝上采用GAA。
 
　　
　　三星電子晶圓代工事業(yè)部總裁崔思英在演講中表示：“在所有技術都在圍繞AI發(fā)生革命性變革的時代，最重要的是能夠?qū)崿F(xiàn)AI的高性能、低功耗半導體，”三星電子將通過針對AI半導體優(yōu)化的GAA（Gate-All-Around）工藝技術和光學器件技術，提供客戶在AI時代所需的一站式AI解決方案，以實現(xiàn)低功耗的高速數(shù)據(jù)處理。到2027年，該公司計劃將光學元件集成到其AI解決方案中。
　　
　　二、國內(nèi)首條光子芯片中試線月底調(diào)試
　　
　　本月底，國內(nèi)首條光子芯片中試線將進入設備調(diào)試沖刺階段。
　　
　　據(jù)悉，今年1月，位于濱湖區(qū)的上海交大無錫光子芯片研究院迎來光子芯片中試線首批設備入場，研究院以“突破光電子信息關鍵核心技術”為發(fā)展使命，也是支撐無錫量子科技這一未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要科創(chuàng)平臺。
　　
　　首條光子芯片中試線以高端光子芯片的研發(fā)為核心，聚焦新一代信息技術和產(chǎn)業(yè)化應用，旨在推動量子計算機、通用光子處理器、三維光互連芯片和高精密飛秒激光直寫機等變革性技術落地轉(zhuǎn)化，加速打造以光子芯片底層技術為驅(qū)動，面向量子計算、人工智能、光通信、光互連、激光雷達、成像與顯示、智能傳感的新一代光子科技產(chǎn)業(yè)集群。
　　
　　光子芯片中試線運行后可在藥物發(fā)現(xiàn)、電池設計、流體動力學、干線物流優(yōu)化、安防和加密等多個領域發(fā)揮顛覆性作用，將為無錫光子芯片產(chǎn)業(yè)和量子科技的發(fā)展提供強大支撐。
　　
　　未來，研究院將充分發(fā)揮光子芯片中試線的稀缺性和工藝優(yōu)勢，以光子芯片底層技術為驅(qū)動，融合芯、光、智、算產(chǎn)業(yè)要素，加速形成 “平臺+孵化+基金”三位一體的產(chǎn)學研創(chuàng)新生態(tài)體系，共同把光子芯谷一期、二期打造成為萬億產(chǎn)業(yè)，成為世界級光子芯片產(chǎn)業(yè)化中心。
　　
　　三、南京長晶年產(chǎn)200億顆新型元器件項目預計8月竣工
　　
　　近日，江蘇長晶年產(chǎn)200億顆新型元器件項目迎來最新進展，預計8月底完成竣工驗收，9月投產(chǎn)運營。本項目的建成能提升國產(chǎn)化功率器件競爭實力，降低對國外產(chǎn)品的依賴。
　　
　　據(jù)悉，長晶年產(chǎn)200億顆新型元器件項目位于浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，由江蘇長晶浦聯(lián)功率半導體有限公司投資建設。項目總投資9.5億元，2024年計劃投資3億元，總占地148畝，總建筑面積約12.9萬平方米，建設生產(chǎn)廠房、動力中心、庫房等，主要生產(chǎn)表面貼裝的半導體分立器件和功率器件。建成達產(chǎn)后，預計年產(chǎn)器件200億顆。預計年產(chǎn)值12億元、年稅收5000萬元，新增就業(yè)崗位1200個。
 
　　
　　四、ASML擬推出Hyper-NA EUV光刻機，芯片密度限制再縮小
　　
　　日前，ASML前總裁兼首席技術官、現(xiàn)任公司顧問Martin van den Brink在imec ITF World的演講中表示：“從長遠來看，我們需要改進光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時400-500片晶圓”。同時透露，ASML將在2030年左右提供Hyper-NA，達到0.75NA，以便實現(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征。
　　
　　Imec高級圖案設計項目總監(jiān)Kurt Ronse表示，這是ASML首次將Hyper-NA EUV加入其技術路線圖?，F(xiàn)階段想要突破0.55NA，需要解決光偏振和光刻膠的挑戰(zhàn)。Ronse 還指出，目前的High-NA應該會持續(xù)貫穿從2nm到1.4nm、10埃米甚至7埃米的工藝節(jié)點，此后，Hyper-NA 將開始占據(jù)主導地位。