【自動(dòng)對(duì)焦：MOSFET】金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（ l-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱上包括NMOS、PMOS等。

東芝推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”

中國(guó)上海，2022年3月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%。對(duì)新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻和兩項(xiàng)電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開(kāi)關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類(lèi)型的表面貼裝封裝。

與此同時(shí)，東芝還提供各類(lèi)工具，為開(kāi)關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)提供支持。除了能快速驗(yàn)證電路功能的G0 SPICE模型，現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過(guò)減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。

• 應(yīng)用：

- 通信設(shè)備電源

- 開(kāi)關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

• 特性：

- 優(yōu)異的低損耗特性（在導(dǎo)通電阻和柵開(kāi)關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡）

- 卓越的導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

- 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175℃

• 主要規(guī)格：

（除非另有說(shuō)明，@Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2022年3月的東芝調(diào)查。

[2] 柵極開(kāi)關(guān)電荷和輸出電荷。

[3] 與現(xiàn)有產(chǎn)品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產(chǎn)品將漏源導(dǎo)通電阻×柵開(kāi)關(guān)電荷提高了大約20%，漏源導(dǎo)通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

貝恩資本考慮向東芝提出收購(gòu)