【ZiDongHua 之“推好新品榜”收錄關(guān)鍵詞：東芝 MOSFET 碳化硅 SiC 電動(dòng)汽車 不間斷電源】

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

－三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度－

中國(guó)上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。

 

 

 

三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。

 

此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]，從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備功耗。

 

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

 

第3代SiC MOSFET封裝產(chǎn)品線

類型

封裝

通孔類

TO-247

TO-247-4L

表面貼裝類

DFN8×8

TOLL

 

 

測(cè)量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較）

圖1：TO-247與TOLL封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

 

 

  • 應(yīng)用：
  • 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開關(guān)電源
  • 電動(dòng)汽車充電站
  • 光伏逆變器
  • 不間斷電源

 

  • 特性：
  • 表面貼裝TOLL封裝，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化和自動(dòng)化組裝，低開關(guān)損耗
  • 東芝第3代SiC MOSFET
  • 通過優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實(shí)現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
  • 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
  • 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

 

 

  • 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25°C）

器件型號(hào)

TW027U65C

TW048U65C

TW083U65C

封裝

名稱

TOLL

尺寸（mm）

典型值

9.9×11.68×2.3

絕對(duì)最大額定值

漏極-源極電壓VDSS（V）

650

柵極-源極電壓VGSS（V）

–10至25

漏極電流（DC）ID（A）

Tc＝25°C

57

39

28

電氣特性

漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)（mΩ）

VGS＝18V

典型值

27

48

83

柵極閾值電壓Vth（V）

VDS＝10V

3.0至5.0

總柵極電荷Qg（nC）

VGS＝18V

典型值

65

41

28

柵極-漏極電荷Qgd（nC）

VGS＝18V

典型值

10

6.2

3.9

輸入電容Ciss（pF）

VDS＝400V

典型值

2288

1362

873

二極管正向電壓VDSF（V）

VGS＝–5V

典型值

–1.35

庫(kù)存查詢與購(gòu)買

在線購(gòu)買

在線購(gòu)買

在線購(gòu)買

 

注：

[1] 截至2025年8月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號(hào)源終端靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。

[4] 截至2025年8月，東芝測(cè)量的值。請(qǐng)參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的第3代650V SiC MOSFET

 

*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

 

關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司22,200名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過7,971億日元（49.6億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)