【IGBT器件近些年出現(xiàn)了一種碳化硅新工藝】碳化硅的絕緣破壞電場強度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。
    背景信息：@羅姆半導(dǎo)體集團#羅姆報道#相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。因此在高壓功率市場，碳化硅器件簡直是IGBT的完美替代者，但是為何到目前為止，IGBT仍然占據(jù)主流應(yīng)用呢？請看《與非網(wǎng)》報道《IGBT的最大威脅碳化硅，何日從威脅變殺手》：