Vishay推出PowerPAK® 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導(dǎo)通電阻低至0.65 m歐
 
小型器件采用無(wú)引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)，提高板級(jí)可靠性
 
 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。為實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導(dǎo)通電阻，工作溫度可達(dá)+175 C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無(wú)引線鍵合鷗翼引線結(jié)構(gòu)消除機(jī)械應(yīng)力，有助于提高板級(jí)可靠性。
 
SiJH600E和SiJH800E超低導(dǎo)通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m和1.22 m—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導(dǎo)功耗，實(shí)現(xiàn)節(jié)能的效果。
 
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來(lái)取代兩個(gè)并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。
 
器件規(guī)格表：
產(chǎn)品型號(hào) VDS (V) ID (A) RDS(ON) @ 10 V (m) Rthjc (°C/W)
SiJH600E 60 373 0.65 0.36
SiJH800E 80 299 1.22 0.36
 
該Vishay Siliconix器件工作溫度可達(dá)+175 C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理和電動(dòng)工具等應(yīng)用同步整流。器件采用無(wú)鉛 (Pb) 封裝、無(wú)鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測(cè)試。
 
封裝對(duì)比表:
封裝 長(zhǎng) (mm) 寬 (mm) 高 (mm) 尺寸 (長(zhǎng)x寬mm2)
PowerPAK 8x8L 8.0 7.9 1.8 63.2
D2PAK (TO-263) 15.2 10 4.4 152
 
SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關(guān)信息，請(qǐng)與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系。
 
 
 
動(dòng)感VISHAY：VISHAY簡(jiǎn)介
 
Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對(duì)于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療市場(chǎng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。
 
The DNA of tech.是Vishay Intertechnology的商標(biāo)。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。