【ZiDongHua 之“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈”收錄關(guān)鍵詞：復(fù)旦大學(xué) 人工智能 集成電路 】

　　

　　

　　近日，2025世界人工智能大會(huì)青年優(yōu)秀論文獎(jiǎng)揭曉，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)?wèi){借在Nature上發(fā)表的論文《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》獲獎(jiǎng)（圖1）。

 

 

　　

　　圖1.團(tuán)隊(duì)獲獎(jiǎng)證書(shū)隨著AI時(shí)代的快速發(fā)展，AI計(jì)算對(duì)算力和能效需求的日益攀升。其中，信息存儲(chǔ)速度決定了算力上限，而非易失存儲(chǔ)技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)超低功耗的關(guān)鍵。因此，探索“信息的非易失存儲(chǔ)速度極限”已成為AI芯片能效突破最為關(guān)鍵的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題。現(xiàn)有信息存儲(chǔ)主力因理論框架桎梏，存在電荷注入屏障，存儲(chǔ)速度比芯片速度落后10萬(wàn)倍以上，亟需構(gòu)建全新理論框架，實(shí)現(xiàn)非易失存儲(chǔ)技術(shù)的速度突破。該論文基于底層物理創(chuàng)新，通過(guò)構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型，理論預(yù)測(cè)了一種全新的電荷無(wú)極限超注入規(guī)律，打破了傳統(tǒng)電荷注入屏障限制。實(shí)驗(yàn)中，團(tuán)隊(duì)通過(guò)構(gòu)建狄拉克彈道加速通道，研制出擦寫(xiě)速度達(dá)到亞1納秒（400皮秒）的閃存器件，速度超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù)（圖2），成為人類目前掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)。這一成果重新定義了存儲(chǔ)技術(shù)邊界，為下一代AI芯片的高能效計(jì)算奠定基礎(chǔ)。Nature高度評(píng)價(jià)該研究“具有原創(chuàng)性的技術(shù)突破，足以奠定未來(lái)高速閃存的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)”。此外，該成果獲CCTV、新華社等國(guó)內(nèi)媒體廣泛報(bào)道，并在國(guó)際論壇上獲得廣泛關(guān)注。

 

　　

　　圖2.電荷超注入皮秒閃存器件性能比較

　　

　　這一突破性成果是團(tuán)隊(duì)師生協(xié)同創(chuàng)新的結(jié)晶。論文通訊作者劉春森研究員和周鵬教授為研究指明了方向，并在日?？蒲兄袃A囊相授、悉心指導(dǎo)，營(yíng)造了勇于探索的學(xué)術(shù)氛圍。在兩位導(dǎo)師的帶領(lǐng)下，論文學(xué)生第一作者向昱桐、王寵緊密合作，充分發(fā)揮各自專長(zhǎng)，共同攻克研究中的諸多難題。同時(shí)，復(fù)旦大學(xué)集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院提供了有力支持，為團(tuán)隊(duì)的創(chuàng)新研究提供了堅(jiān)實(shí)保障。世界人工智能大會(huì)青年優(yōu)秀論文獎(jiǎng)自創(chuàng)辦以來(lái)已成功舉辦五屆，深受青年科學(xué)家好評(píng)，成為人工智能領(lǐng)域青年學(xué)者展示才華的重要平臺(tái)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由世界人工智能大會(huì)組委會(huì)主辦，中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)作為指導(dǎo)單位，上海市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、上?？萍及l(fā)展基金會(huì)、全球高校人工智能學(xué)術(shù)聯(lián)盟作為承辦單位，面向全球高校、科研院所和企業(yè)開(kāi)展評(píng)選。本次評(píng)選吸引了北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)等多所國(guó)內(nèi)頂尖高校，以及加利福尼亞大學(xué)圣迭戈分校、哥倫比亞大學(xué)、南洋理工大學(xué)等海外知名院校的積極參與。經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的初評(píng)、復(fù)評(píng)和終評(píng)，專家評(píng)審委員會(huì)從199篇參評(píng)論文中評(píng)選出10篇青年優(yōu)秀論文獎(jiǎng)。