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- 東芝推出智能柵極驅(qū)動光耦，有助于簡化功率器件的外圍電路設(shè)計
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【“TWINHOW 推好”科技觀察：東芝推出智能柵極驅(qū)動光耦】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布擴大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2 5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅(qū)動IC。
2022-08-31 15:31:06
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- 東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET|應(yīng)用于開關(guān)電源、光伏變頻器等
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東芝加緊對該器件 結(jié)構(gòu)進行完善，并據(jù)此研發(fā)了第三代 SiC MOSFET。優(yōu)化電流擴散層結(jié)構(gòu)，縮少單元尺寸。經(jīng)實驗驗證，相比第二代SiC MOSFET，東芝新的器件結(jié)構(gòu)將特定導(dǎo)通電阻降低了 43% ，Ron Qgd 降低了 80% ，開關(guān)損耗降低約 20% 。
2022-08-30 14:25:33
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- Kevin Toth：用于汽車負載應(yīng)用的上橋 SmartFET 驅(qū)動器|具有自動重啟功能的過溫和電源保護
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亮點：具有自動重啟功能的過溫和電源保護防止器件因高功耗和過高的環(huán)境溫度升高而過熱。如果激活過溫保護，器件將自行關(guān)斷，直到它充分冷卻并自動重試，假設(shè)輸入為“高”。
2022-08-24 13:41:05
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- 安森美2022半導(dǎo)體與自動化科技動態(tài)（六）|VE-TracTM 碳化硅系列為電動車主驅(qū)逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
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自動化網(wǎng)推好（TWINHOW）高質(zhì)量發(fā)展聯(lián)盟（平臺）觀察：采用穩(wěn)定可靠的平面SiC技術(shù)，結(jié)合燒結(jié)技術(shù)和壓鑄模封裝，幫助設(shè)計人員解決上述挑戰(zhàn)，配合公司其他先進的智能功率電源半導(dǎo)體，加快市場采用電動車，助力未來的交通邁向可持續(xù)發(fā)
2022-06-28 12:37:54
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- MOSFET柵極驅(qū)動IC推新 |東芝2022推新動態(tài)（七）|東芝（中國）董事長宮崎洋一
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東芝(中國)有限公司董事長兼總裁宮崎洋一日前表示，今年是東芝進入中國市場50周年。近年來，東芝對業(yè)務(wù)組合進行了重組，從過去家電、電視和個人電腦等的生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了社會基礎(chǔ)設(shè)施、能源等領(lǐng)域。目前在中國，東芝仍擁有廣泛的業(yè)務(wù)內(nèi)容，包括半導(dǎo)體、電梯、電力
2022-06-08 12:32:13
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- 瑞能半導(dǎo)體2022科技動態(tài)（二）：CEO Markus Mosen及海外團隊亮相PCIM Europe電子展
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瑞能半導(dǎo)體2022科技動態(tài)（一）|“半導(dǎo)體芯勢力”：瑞能半導(dǎo)體全球運營中心啟動儀式隆重舉行 http: www zidonghua com cn news brand 44713 html ，六年間，瑞能半導(dǎo)體已憑借可控硅，二極管，第六代碳化硅二極管、SiC- MOSFET、IGBT、TVS ESD等多種系列產(chǎn)品，奠定了其在行業(yè)內(nèi)
2022-05-17 11:01:11
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- 推好解決方案：Rhombus 采用 Wolfspeed VE-TracTM Direct SiC功率模塊 實現(xiàn)更快電動汽車充電速度
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領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美，今日宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來(NIO Inc )為其下一代電動車(EV)選用了安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模塊。這基于碳化硅(SiC)的功率模塊使電動車的續(xù)航里程更遠，能效更高，加速更快。兩家公司的合作加快了SiC技術(shù)的商業(yè)化進程，為市場帶來配備
2022-05-12 13:05:30
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- 安森美推新：全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
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【自動對焦：SiC】NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封裝的 SiC MOSFET，適用于要求嚴苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源 (SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和儲能。 該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標準的設(shè)計，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效標準。
2022-05-11 10:22:30
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- NTC熱敏電阻推新:適用于電動汽車的IGBT和功率MOSFET模塊保護
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NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫，意思是負的溫度系數(shù)，泛指負溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件，所謂NTC熱敏電阻器就是負溫度系數(shù)熱敏電阻器。它是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧化物為主要材料， 采用陶瓷工藝制造而成的。這些金屬氧化物材料都具有半導(dǎo)體性質(zhì)
2022-04-12 11:16:18
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- 東芝動態(tài)：150V N溝道功率MOSFET推新|貝恩資本考慮提出收購
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【自動對焦：MOSFET】金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。 MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種
2022-04-01 13:49:06
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- 東芝推新TCK421G：MOSFET柵極驅(qū)動IC中的首款產(chǎn)品
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推好之處：適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復(fù)用器電路或負載開關(guān)電路。它內(nèi)置電荷泵電路，支持2 7V至28V的寬輸入電壓范圍，經(jīng)過間歇操作，為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩(wěn)定電壓；在可穿戴設(shè)備和智能手機等小型設(shè)備上實現(xiàn)高密度貼裝，縮小設(shè)備的尺寸。
2022-02-10 11:14:57
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- Vishay推新推好：兩款金氧半場效晶體管（ MOSFET）具有超低導(dǎo)通電阻
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推新：兩款n溝道 MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E；推好：具有超低導(dǎo)通電阻，工作溫度可達+175 ℃以及高連續(xù)漏極電流。
2022-02-08 10:30:23
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- 東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。
2021-02-26 12:40:17
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- Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
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該器件提供了89 25nC的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年10月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號：VSH）推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，從而擴展了其GenIIITrenchFET®功率MOSFE
2008-10-31 09:18:19
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- Vishay推出業(yè)界首批采用 PowerPAK SC-75封裝的
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Vishay的新型器件具有低至0 052歐姆的導(dǎo)通電阻及1 6mm×1 6mm的占位面積，適合各種消費類便攜電子產(chǎn)品的要求 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年8月21日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號：VSH）宣布推出采用PowerPAKSC-75封裝的p
2008-08-28 09:25:16
