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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達到業(yè)內先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數量并簡化設計

 

美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年3月14日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。

日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級，適用領域包括無線電基站、工業(yè)電機驅動、焊接設備和電動工具。這些應用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5 V下邏輯電平導通簡化電路驅動。

 

為提高功率密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導通電阻典型值降至18.5 mW，達到業(yè)內先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉換應用重要優(yōu)值系數（FOM）為 131mW*nC，導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關應用的效率。

 

器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達36 A，比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

 

競品對比表：

產品編號

SiZF4800LDT (新品)

競品

SiZF4800LDT

性能改進型 

封裝

PowerPAIR 3x3FS

PowerPAIR 3x3FS

 

尺寸 (mm)

3.3 x 3.3 x 0.75

3.3 x 3.3 x 0.75

-

配置

對稱雙通道

對稱雙通道

-

VDS (V)

80

80

-

VGS (V)

± 20

± 20

-

RDS(on) (m?) @ 4.5 VGS

典型值

18.5

22

+16 %

最大值

23.8

29

+18 %

Qg (nC) @ 4.5 VGS

典型值

7.1

6.0

-

FOM

-

131

132

+1 %

ID (A)

最大值

36

26

+38 %

RthJC (C/W)

最大值

2.2

4.8

+54 %

 

 

 

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產品制造商之一，這些產品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。