【ZiDongHua之推好新品榜收錄關(guān)鍵詞：Vishay 威世科技 MOSFET 機器人 3D打印機】

Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET

 

器件占位面積小，采用BWL設(shè)計，ID高達(dá)795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能

 

美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年12月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，能夠為工業(yè)應(yīng)用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導(dǎo)通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導(dǎo)通電阻低58 %。

日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導(dǎo)通電阻低至0.34 mW，最大限度減少了傳導(dǎo)造成的功率損耗，從而提高了效率，同時通過低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了熱性能。SiJK140E允許設(shè)計人員使用一個器件（而不用并聯(lián)兩個器件）實現(xiàn)相同的低導(dǎo)通電阻，從而提高了可靠性，并延長了平均故障間隔時間（MTBF）。 

 

MOSFET采用無線鍵合（BWL）設(shè)計，最大限度減少了寄生電感，同時最大限度提高了電流能力。采用打線鍵合（BW）封裝的TO-263-7L解決方案電流限于200 A，而SiJK140E可提供高達(dá)795 A的連續(xù)漏極電流，以提高功率密度，同時提供強大的SOA功能。與TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封裝占位面積為120 mm2，可節(jié)省27 %的PCB空間，同時厚度減小50 %。

 

SiJK140E非常適合同步整流、熱插拔和OR-ing功能。典型應(yīng)用包括電機驅(qū)動控制、電動工具、焊接設(shè)備、等離子切割機、電池管理系統(tǒng)、機器人和3D打印機。為了避免這些產(chǎn)品出現(xiàn)共通，標(biāo)準(zhǔn)級FET提供了2.4Vgs的高閾值電壓。MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

 

PPAK10x12與 TO-263-7L規(guī)格對比

產(chǎn)品編號

SiJK140E

SUM40014M

性能改進(jìn)

封裝

PowerPAK10x12

TO-263-7L

-

尺寸 (mm)

10 x 12

10.4 x 16

+27 %

高度

2.4

4.8

+50 %

VDS (V)

40

40

-

VGS (V)

± 20

± 20

-

配置

單

單

-

              VGSth  (V)

最小值

2.4

1.1

+118 %

RDS(on) (m?) @ 10 VGS

典型值

0.34

0.82

+58 %

最大值

0.47

0.99

+53 %

Qg (nC) @ 10 VGS

典型值

312

182

-

FOM

-

106

149

+29 %

ID (A)

最大值

795

200

+397 %

RthJC (C/W)

最大值

0.21

0.4

47 %

 

SiJK140E現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為36周。 

 

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。