【ZiDongHua 之推好新品榜收錄關鍵詞： 東芝 工業(yè)電源 碳化硅 SiC 肖特基勢壘二極管 太陽能逆變器 電動汽車充電站 開關電源】

 

東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設備實現(xiàn)高效率

 

中國上海，2024年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業(yè)設備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。

 

 

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有助于這些新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界領先的[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

 

東芝將繼續(xù)壯大其SiC電源器件的產(chǎn)品線，并將一如既往地專注于提高可降低工業(yè)電源設備功耗的效率。

 

 

 

  • 應用：
  • 光伏逆變器
  • 電動汽車充電站
  • 工業(yè)設備UPS的開關電源

 

  • 特性：
  • 第3代1200 V SiC SBD
  • 業(yè)界領先的[2]低正向電壓：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
  • 低總電容電荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
  • 低反向電流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)

 

    • 主要規(guī)格：

    （除非另有說明，Ta＝25 °C）

    器件型號

    封裝

    絕對最大額定值

    電氣特征

    樣品查看與供貨情況

    重復峰值反向電壓VRRM（V）

    正向DC電流IF(DC)（A）

    非重復峰值正向浪涌電流IFSM（A）

    正向電壓

    （脈沖測量）VF（V）

    反向電流

    （脈沖測量）IR（μA）

    總電容電荷

    QC

    （nC）

     

    溫度條件

    Tc（°C）

    f＝50 Hz

    （半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C

    IF＝IF(DC)

    VR＝1200 V

    VR＝800 V，f＝1 MHz

    典型值

    典型值

    典型值

    TRS10H120H

    TO-247-2L

    1200

    10

    160

    80

    1.27

    1.0

    61

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    TRS15H120H

    15

    157

    110

    1.4

    89

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    TRS20H120H

    20

    155

    140

    2.0

    109

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    TRS30H120H

    30

    150

    210

    2.8

    162

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    TRS40H120H

    40

    147

    270

    3.6

    220

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    TRS10N120HB

    TO-247

    5（每個引腳）

    10（雙引腳）

    160

    40（每個引腳）

    80（雙引腳）

    1.27

    （每個引腳）

    0.5

    （每個引腳）

    30

    （每個引腳）

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    TRS15N120HB

    7.5（每個引腳）

    15（雙引腳）

    157

    55（每個引腳）

    110（雙引腳）

    0.7

    （每個引腳）

    43

    （每個引腳）

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    TRS20N120HB

    10（每個引腳）

    20（雙引腳）

    155

    70（每個引腳）

    140（雙引腳）

    1.0

    （每個引腳）

    57

    （每個引腳）

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    TRS30N120HB

    15（每個引腳）

    30（雙引腳）

    150

    105（每個引腳）

    210（雙引腳）

    1.4

    （每個引腳）

    80

    （每個引腳）

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    TRS40N120HB

    20（每個引腳）

    40（雙引腳）

    147

    135（每個引腳）

    270（雙引腳）

    1.8

    （每個引腳）

    108

    （每個引腳）

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注：

[1] 改進型結勢壘肖特基（JBS）結構：該結構將混合式PiN肖特基（MPS）結構（可在大電流下降低正向電壓）整合在JBS結構（不僅可降低肖特基接口的電場，而且還可減少電流泄漏）中。

[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的東芝調(diào)查。

 

*其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

 

 

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