【ZiDongHua 之“推好新品榜”收錄關(guān)鍵詞：東芝 SiC MOSFET 碳化硅】

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

－四款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度－

 

中國(guó)上海，2025年5月20日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開始支持批量出貨。

 

 

四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設(shè)備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗[2]元件，從而降低開關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳[3]封裝，支持對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少了封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比[5]，其開通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設(shè)備中的功率損耗。

 

未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。

 

 

測(cè)量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續(xù)流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對(duì)比結(jié)果）

圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導(dǎo)通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

 

  • 應(yīng)用：

 

  • 特性：
  • DFN8×8表面貼裝封裝，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化和自動(dòng)化組裝，低開關(guān)損耗
  • 東芝第3代SiC MOSFET
  • 通過優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實(shí)現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
  • 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
  • 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

 

  • 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25°C）

器件型號(hào)

TW031V65C

TW054V65C

TW092V65C

TW123V65C

封裝

名稱

DFN8×8

尺寸（mm）

典型值

8.0×8.0×0.85

絕對(duì)最大額定值

漏極-源極電壓VDSS（V）

650

柵極-源極電壓VGSS（V）

–10至25

漏極電流（DC）ID（A）

Tc＝25°C

53

36

27

18

電氣特性

漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)（mΩ）

VGS＝18V

典型值

31

54

92

123

柵極閾值電壓Vth（V）

VDS＝10V

3.0至5.0

總柵極電荷Qg（nC）

VGS＝18V

典型值

65

41

28

21

柵極-漏極電荷Qgd（nC）

VGS＝18V

典型值

10

6.2

3.9

2.3

輸入電容Ciss（pF）

VDS＝400V

典型值

2288

1362

873

600

二極管正向電壓VDSF（V）

VGS＝–5V

典型值

–1.35

 

 

 

 
 

 

注：

[1] 截至2025年5月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號(hào)源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。

[4] 截至2025年5月，東芝測(cè)量值。請(qǐng)參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開爾文連接的、具有同等電壓和導(dǎo)通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。


*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。

 

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